En comparación con los ledes normales sus eficiencias luminosas dependen de la distribución espectral de la salida de luz resultante y de la longitud de onda authentic del propio led. Por ejemplo, la eficiencia luminosa de un fósforo amarillo YAG típico de un led blanco de three a 5 veces la eficiencia luminosa del led azul unique, debido a la mayor sensibilidad del ojo humano para el color amarillo que para el shade azul (según el modelo de la función de luminosidad). Debido a la simplicidad de su fabricación, el método de fósforo sigue siendo el más popular para conseguir una alta intensidad en los ledes blancos.Por lo tanto, el aspecto de la extracción de la luz de los ledes es motivo de una gran dedicación en cuanto a investigación y desarrollo. Los conos de emisión de luz para las muestras reales de ledes son bastante más complejos que los producidos a partir de una sola fuente puntual. La zona de emisión de la luz es normalmente un plano bidimensional definido entre las dos capas de semiconductor. Cada átomo situado en este plano presenta un conjunto de conos de emisión análogos a los de la figura anterior. La figura es un esquema simplificado que muestra el efecto combinado de algunos conos de emisión. Los grandes conos laterales han sido cortados para mostrar las características del interior y reducir la complejidad de la imagen; en realidad, estos conos se deberían extender hasta los bordes opuestos dentro del plano bidimensional de emisión. Este fenómeno afecta tanto a la eficiencia en la emisión luminosa de los ledes como a la eficiencia en la absorción de la luz de las células fotovoltaicas.Estos presentan una región activa que consta de uno o más pozos cuánticos de InGaN intercalados entre láminas más gruesas de GaN, llamadas vainas. Variando la fracción de In/Ga en los pozos cuánticos de InGaN, la emisión de luz puede, en teoría, modificarse desde el violeta hasta el ámbar. Si el GaN se usa sin dopar, para formar las capas activas de los pozos cuánticos el dispositivo emite luz próxima al ultravioleta con un pico centrado en una longitud de onda alrededor de los 365 nm. Los ledes verdes fabricados en la modalidad InGaN/GaN son mucho más eficientes y brillantes que los ledes producidos con sistemas sin nitruro, pero estos dispositivos todavía presentan una eficiencia demasiado baja para las aplicaciones de alto brillo. Ante la necesidad de aumentar la luminosidad de los ledes, esta no se consigue a base de incrementar los niveles de corriente sino mediante el empleo de varios ledes en una sola lámpara.
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El proceso de revestimiento de ajuste se suele utilizar con el fin de poder common el espesor variable del fósforo. Debido al metamerismo, es posible disponer de diferentes espectros que parezcan blancos. Sin embargo, la apariencia de los objetos iluminados por esa luz puede modificarse a medida que el espectro varía.